RDN150N20FU6 es un Mosfet de canal N de 200 V (Vds) y 15A (Id), con un bajo voltaje de disparo en Gate (compuerta) y una mínima corriente (mín.: 1mA) debido a su alta impedancia de entrada utilizado para circuitos de conmutación dc donde el voltaje de alimentación dc es grande, o amplificación de pequeñas señales ac, por sistemas embebidos, Arduino, Raspberry pi, Beagle Bone, Banana pi, mbed: STM32F4 y Núcleo, TI Launchpad, ChipKit, microcontroladores y en general circuitos lógicos de disparo de bajo poder.

RDN150N20FU6  es traído por Electrónica Plug and Play. Está disponible en Bogotá D.C., y se hacen envíos a toda Colombia.

Características

• Encapsulado: TO-220FN-3.
• Voltaje drenaje-fuente(VDS): 200Vdc.
• Corriente máxima o de ruptura en drenaje (Id): 15A.
• Máxima potencia disipada: 40W.
• Voltaje máximo de disparo de Gate (Vgs th): 4Vdc.
• Corriente máxima de disparo de Gate (Igt): 1mA.
• Rango de resistencia de salida RDS: 120mOhm a 160mOhm
• Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C.
• Cumple estándar RoHS.
• Fabricante: Rohm Semiconductor.

Aplicaciones

• Switcheo de cargas DC.
• Amplificación de pequeñas señales ac.
• Propósito general.

  Hoja Técnica RDN150N20FU6